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es geht um einen npn-Transistor.

Die meisten Elektronen der Emittlerzone fließen durch die p-Schicht.

Durch eine Spannung kann die Grenzschicht der E-Zone (n-dotierten Schicht) zur B-Schicht (p-dotierte Schicht) anscheinend überwunden werden und von B-Schicht zur Kollektorzone (p-dotierte Schicht) durch die Anzugskraft des Pluspols.

Wenige schaffen es nur nicht durch die p-Schicht/B-Zone. Welche Kräfte wirken denn genau hier gegen den Durchfluss eines Elektrons? Einmal die Anziehung durch den Pluspol des Basis-Emitter-Stromkreises = Absaugen der Elektronen. Und dann die Rekombination, also die Löcher ziehen die freien Elektronen an. Bei diesen beiden Kräften, dürften doch kaum Elektronen "verschont" bleiben, die ungehindert durchfließen. Ich habe zwar gelesen, dass die p-Dotierung so schwach ist, dass Elektronen kaum wegen Rekombination "abgefangen" werden. Aber es wurde nicht so ganz klar dargestellt. Ist das denn so richtig: schwache Dotierung = kaum Rekombinationen und dünne Basisschicht = nur kleine "Absaugfunktion"

Danke!p6.PNG

von

1 Antwort

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Hallo

 du hast das wesentliche schon gesehen; die p-Schicht im Transistor ist sehr dünn, die e laufen einfach geradeaus vom Emitter zum Kollektor durch in  die nächste n-Schicht und die Rekombination mit Löchern ist wegen der geringen Dosierung zu vernachlässigen. Dabei muss die Basisspannung nur die Dioden Sperrspannung von bei Si 0,6 bei GE weniger überwinden.

Gruß lul

von 11 k

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